750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。该系列器件的静态漏源导通电阻（R_DS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（I_D）和源极电流（I_S）为22A至120A（T_C = 25°C时）。此系列ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET充分利用了SiC技术的独特属性，具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性。