DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管额定电压为30V、60V和100V，具有出色的导通效率和热性能，适用于要求严格的汽车电源开关和控制。超低VCE(SAT) NPN和PNP双极晶体管非常适合12V、24V和48V系统，支持MOSFET和IGBT栅极驱动、负载开关、LDO调节、DC-DC转换以及电机/致动器控制等应用。

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最小工作温度
最大工作温度
资格
系列
封装
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,967库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 140 mV 2.4 W 260 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,652库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 135 mV 2.4 W 250 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,221库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 210 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
3,319库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 332
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
3,658库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 366
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
3,985库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 399
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,914库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 170 mV 2.4 W 315 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,906库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 220 mV 2.4 W 320 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
690库存量
5,499预期 2027/4/9
最低： 1
倍数： 1
最大： 869
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
3,122库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 312
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,990库存量
2,000预期 2026/10/21
最低： 1
倍数： 1
最大： 399
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
133库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 165 mV 2.4 W 290 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape