结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT 664库存量
1,350在途量
¥58.3984
¥33.5836
¥28.0353
¥27.798
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS 1,505库存量
1,230预期 2027/1/12
¥69.0656
¥40.8608
¥36.5555
最低: 1
倍数: 1
最大: 240
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS 1,571库存量
¥60.5454
¥35.1543
¥29.3687
最低: 1
倍数: 1
最大: 150
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT 87库存量
¥44.9966
¥25.3911
¥20.9276
¥19.6055
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT 354库存量
¥59.0538
¥34.0017
¥28.4534
¥28.2048
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDT Tube