LM5109B-Q1半桥栅极驱动器

Texas Instruments LM5109B-Q1半桥栅极驱动器是一款性价比高的高电压栅极驱动器，设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。这可以在同步降压或半桥配置中完成。浮动高侧驱动器的工作轨电压高达90V，输出由TTL/CMOS兼容的逻辑输入阈值独立控制。稳定的电平移位技术，可高速工作，仅消耗很低功耗，同时进行从控制逻辑到高侧栅极驱动器的彻底的电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。