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SIS178LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS178LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS178LDN-T1-GE3
Price: 11.71 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIS178LDN-T1-GE3

制造商编号：

SIS178LDN-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

数据表:

SIS178LDN-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	70 V
Id-连续漏极电流:	45.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	18.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	39 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	40 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	SIS
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	1 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET采用PowerPAK® 1212-8单封装和TrenchFET Gen IV技术。SiS178LDN MOSFET具有非常低的R_DS x Q_g品质因数 (FOM)。Vishay/Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET设计用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器、电机驱动控制和负载开关应用。

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库存量: 4,684

库存：: 4,684

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在途量:: 33,000

预期 2028/3/9
生产周期：: 38

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.2323	¥13.23
	¥6.215	¥62.15
	¥5.5257	¥552.57
	¥4.3279	¥2,163.95
	¥4.0567	¥4,056.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.4352	¥10,305.60
	¥3.2657	¥19,594.20
	¥3.0623	¥27,560.70

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SIS178LDN-T1-GE3

制造商： Vishay / Siliconix

说明： MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

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