DMP4006SPSWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP4006SPSWQ-13
Price: 25.62 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DMP4006SPSWQ-13

制造商编号：

DMP4006SPSWQ-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60 V PowerDI5060-8 T&R

数据表:

DMP4006SPSWQ-13 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerDI5060-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	115 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	162 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	104 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	228 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	32 ns
系列:	DMP4006SPSWQ
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	469 ns
典型接通延迟时间:	28 ns
单位重量:	97 mg

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMP4006SPSWQ 40V P沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ 40V P沟道增强模式MOSFET设计用于满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，并由PPAP提供支持。Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ在生产过程中100%通过无钳位电感开关 (UIS) 测试，具有低导通电阻和快速开关速度。该器件具有可湿性侧翼，改进光学检查，采用无铅涂层，符合RoHS指令，是不含卤素和不含锑的“绿色”器件。典型应用包括反向极性保护、BLDC电机控制、电源管理功能和系统/负载开关。