PXNx N沟道逻辑电平沟槽型MOSFET

Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽型MOSFET专为各种应用中的高效电源管理而设计。这些Nexperia MOSFET具有低导通电阻 [RDS_(on)]，范围为2.8mΩ至14mΩ，并支持60V和100V漏源电压(V_DS)。这些MOSFET针对逻辑电平兼容性进行了优化，适用于次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和LED照明。这些MOSFET采用散热效率高的MLPAK33和MLPAK56封装，占位面积小，散热性能好。凭借低栅极电荷 (Qg) 和高雪崩耐受能力等特性，PXNx系列确保可在严苛环境下可靠运行。