结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V 40A FS2 Trench IGBT
数据表
626库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 60
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 25 V, 25 V 80 A 555 W - 55 C + 175 C FGH40T120SMD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS2TIGBT TO247 40A 1200V
数据表
226库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 25 V, 25 V 80 A 882 W - 55 C + 175 C FGY40T120SMD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
数据表
7,460预期 2026/10/6
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最低： 1
倍数： 1
最大： 320
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.9 V - 25 V, 25 V 10 A 69 W - 55 C + 150 C FGD5T120SH Reel, Cut Tape, MouseReel