NTMFD0D9N02P1E MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFD0D9N02P1E MOSFET是一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。该MOSFET由一个非对称的POWERTRENCH^®电源夹组成。NTMFD0D9N02P1E MOSFET具有低RDS_(on)，可将导通损耗降至最低；同时具有低QG和低电容，可将驱动损耗降至最低。这款MOSFET占位面积仅为5mmx6mm，适用于紧凑型设计。NTMFD0D9N02P1E MOSFET不含铅、卤素/BFR，符合RoHS标准。典型应用包括直流-直流变换器、系统电压轨和通用负载点。