DMTH15H017LPSWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MTH15H017LPSWQ13
Price: 20.2 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-MTH15H017LPSWQ13

制造商编号：

DMTH15H017LPSWQ-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

数据表:

DMTH15H017LPSWQ-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ-13详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerDI5060-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	17.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.3 V
Qg-栅极电荷:	50 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	2.8 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	17.7 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16.3 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	44.6 ns
典型接通延迟时间:	10.5 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMTH15H017LPSWQ-13 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET设计用于最大限度地降低R_DS(ON)，并保持出色的开关性能。该MOSFET具有高转换效率和100%无钳位电感开关 (UIS) 生产测试，确保可靠而稳健的终端应用。DMTH15H017LPSWQ MOSFET具有快速开关速度和低输入电容。该MOSFET无铅，符合RoHS指令，符合生产件批准程序 (PPAP) 规定。典型应用包括同步整流、电源开关和 D类音频放大器。