750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管

英飞凌750V TRENCHSTOP™ IGBT7分立晶体管采用 DTO247封装,可替代并联连接的多个标准TO247封装低电流晶体管。DTO247封装的尺寸是标准TO247封装的两倍,并且与同一系统中的基于DTO247和TO247封装的架构兼容,从而提高了灵活性和可定制性。TRENCHSTOP DTO247设计支持大功率密度,同时弥合了基于TO247封装的设计和模块架构之间的差距。2mm宽的引线可提供最佳的导电性,而10mm的爬电距离则可提供更高的安全性和可靠性。该封装包括7mm的引脚间隙和集成式开尔文发射极引脚,可实现更快、更高效的切换。这些来自于英飞凌的750V晶体管旨在为大电流应用(包括太阳能逆变器、储能系统 (ESS) 和不间断电源 (UPS))简化和缩短其成本高效、可升级架构的开发时间。

结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 460库存量
¥72.8737
¥43.4259
¥36.5555
¥32.5892
最低: 1
倍数: 1
Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 687库存量
¥74.1167
¥50.5449
¥34.9057
最低: 1
倍数: 1
Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 100库存量
240预期 2027/2/11
¥80.6481
¥55.3361
¥39.0415
最低: 1
倍数: 1
Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 177库存量
¥88.592
¥61.6189
¥51.6975
¥43.0078
最低: 1
倍数: 1
Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 127库存量
240预期 2027/5/20
¥52.4433
¥35.1543
¥22.826
¥22.0011
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247 Through Hole 750 V 1.75 V 20 V 188 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 240库存量
240预期 2027/2/25
¥81.5634
¥55.9124
¥40.115
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 750 V 1.45 V 20 V 160 A 500 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 143库存量
¥87.7671
¥60.3872
¥44.0926
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 750 V 1.45 V 20 V 160 A 625 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 208库存量
¥56.4096
¥37.968
¥24.8148
¥24.3176
最低: 1
倍数: 1
Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 190库存量
¥64.1049
¥43.4259
¥28.7811
最低: 1
倍数: 1
Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 32库存量
240预期 2027/2/25
¥62.7037
¥41.5275
¥28.9506
¥26.555
最低: 1
倍数: 1
Tube