CoolSiC™汽车用750V G1 SiC沟槽式MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™车规级750V G1碳化硅 (SiC) 沟槽式MOSFET帮助电动汽车 (EV) 制造商打造具有更高效率、更大的功率密度和更高可靠性的11kW和22kW双向车载充电器。这些器件在高温（Tj,max +175°C）下能可靠运行，采用英飞凌专有技术。XT芯片贴装技术可实现同等晶圆尺寸下同类产品中最佳的热阻抗。

晶体管类型
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结果: 8
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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
720库存量
¥364.7753
¥236.0683
¥222.6665
报价
最低： 1
倍数： 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
281库存量
¥198.1907
¥123.6559
¥116.1301
¥114.7289
最低： 1
倍数： 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
226库存量
¥83.3827
¥53.7654
¥45.6633
¥39.6178
¥38.7929
最低： 1
倍数： 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
171库存量
¥63.0314
¥39.0415
¥30.9394
最低： 1
倍数： 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
288库存量
¥51.2794
¥33.9113
¥30.2727
¥26.1369
最低： 1
倍数： 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
240预期 2027/5/13
¥148.7193
¥110.0959
¥81.8911
最低： 1
倍数： 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
交货期 52 周
¥187.9303
¥131.9275
¥104.638
最低： 1
倍数： 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
交货期 52 周
¥95.1234
¥63.1896
¥58.647
¥54.7598
最低： 1
倍数： 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel