D2系列N通道耗尽型功率MOSFET

IXYS D2系列100V - 1700V N通道耗尽型功率MOSFET是以“常开”模式运行的耗尽型器件，栅极端子需要零导通电压。该系列具有高达1700V的阻断电压和低漏极-源极电阻，以便在连续“导通”（例如紧急或防盗报警）的系统中简化控制并降低功耗。

结果: 34
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
IXYS MOSFET 8mAmps 1000V
数据表
18库存量
7,490预期 2027/2/2
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 2 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
数据表
360库存量
350预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms 20 V 4.5 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
数据表
500预期 2026/11/11
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET
数据表
300预期 2026/11/10
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 73 mOhms 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET
数据表
810在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 1700V 2A
数据表
300预期 2026/9/30
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 1A N-CH DEPL
数据表
300预期 2026/10/12
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 3A N-CH DEPL
数据表
300预期 2026/9/28
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
数据表
无库存交货期 54 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms Tube