射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最大工作温度	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications MWT-PH11F CML Micro 10: ¥947.5502 90库存量	制造商零件编号 MWT-PH11F Mouser 零件编号 938-MWT-PH11F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	90库存量	¥947.5502	最低： 10 倍数： 10	GaAs	440 mA to 800 mA	8 V		12 GHz	9 dB	32 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications MWT-PH8F CML Micro 10: ¥880.4169 100库存量	制造商零件编号 MWT-PH8F Mouser 零件编号 938-MWT-PH8F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	100库存量	¥880.4169	最低： 10 倍数： 10	GaAs	250 mA to 300 mA	8 V		18 GHz	11 dB	30 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH15F CML Micro 10: ¥1,059.4089 100库存量	制造商零件编号 MWT-PH15F Mouser 零件编号 938-MWT-PH15F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	100库存量	¥1,059.4089	最低： 10 倍数： 10	GaAs	150 mA to 190 mA	7.5 V		28 GHz	12 dB	28 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices MWT-LN600 CML Micro 10: ¥335.7682 100库存量	制造商零件编号 MWT-LN600 Mouser 零件编号 938-MWT-LN600	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	100库存量	¥335.7682 ¥302.3315 报价报价	最低： 10 倍数： 10	GaAs	175 mA	4.5 V		26 GHz	8 dB, 11 dB	20 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH9F CML Micro 10: ¥752.2297 100库存量	制造商零件编号 MWT-PH9F Mouser 零件编号 938-MWT-PH9F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	100库存量	¥752.2297 ¥641.3993	最低： 10 倍数： 10	GaAs	180 mA to 220 mA	7.5 V		26 GHz	13 dB	28 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET MWT-773 CML Micro 1: ¥685.5258 98库存量	制造商零件编号 MWT-773 Mouser 零件编号 938-MWT-773	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	98库存量	剪切带 ¥685.5258 ¥566.4464 卷轴 ¥463.7859 查看报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 100	GaAs	26 mA		173 Ohms	26 GHz	11 dB	20 dBm	+ 150 C		Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices MWT-LN300 CML Micro 1,000: ¥279.5733 无库存交货期 27 周	制造商零件编号 MWT-LN300 Mouser 零件编号 938-MWT-LN300	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	无库存交货期 27 周	剪切带 ¥279.5733	最低： 1,000 倍数： 10 : 10	GaAs	120 mA	4 V		26 GHz	10 dB, 13 dB	16 dBm	+ 150 C	Die	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH7F CML Micro 10: ¥489.8437 无库存交货期 27 周	制造商零件编号 MWT-PH7F Mouser 零件编号 938-MWT-PH7F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	无库存交货期 27 周	¥489.8437	最低： 10 倍数： 10	GaAs	60 mA to 80 mA	6.5 V		28 GHz	15 dB	23 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications MWT-1F CML Micro 10: ¥669.1973 交货期 27 周 NRND	制造商零件编号 MWT-1F Mouser 零件编号 938-MWT-1F NRND	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	交货期 27 周	¥669.1973 ¥590.5945	最低： 10 倍数： 10	GaAs	220 mA			12 GHz	10 dB	26 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications MWT-7F CML Micro 10: ¥418.4503 无库存交货期 27 周 NRND	制造商零件编号 MWT-7F Mouser 零件编号 938-MWT-7F NRND	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	无库存交货期 27 周	¥418.4503	最低： 10 倍数： 10	GaAs	85 mA			26 GHz	15 dB	21 dBm	+ 150 C	Die	Bulk

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