HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 310 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 264 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 1000V
数据表
265库存量
300预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
数据表
61库存量
750预期 2027/2/1
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
123库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 12 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 175V 150A
数据表
15库存量
300预期 2026/12/23
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 175 V 150 A 12 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 233 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
数据表
37库存量
300预期 2026/10/14
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
208库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds
数据表
95库存量
300预期 2027/4/7
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 180A N-CH X3CLASS
数据表
9库存量
300预期 2027/4/26
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
244库存量
120预期 2026/10/28
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 220A N-CH X3CLASS
数据表
5库存量
300预期 2026/12/7
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 204 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
34库存量
3,810预期 2027/2/1
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id24 BVdass800
数据表
158库存量
1,260在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
29库存量
60预期 2026/9/3
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 36A
数据表
106库存量
270预期 2026/12/29
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 56A N-CH X3CLASS
数据表
117库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
数据表
131库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 156 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
数据表
60库存量
240预期 2026/11/2
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
数据表
1库存量
750在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 500V 14A N-CH POLAR3
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 230A 200V
数据表
1库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
数据表
2库存量
300预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube