HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
数据表
80预期 2026/12/29
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 376 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 36A N-CH X3CLASS
数据表
293预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
数据表
15预期 2027/1/26
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
数据表
299预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 500 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 1000V
数据表
290预期 2026/11/11
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
数据表
690在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
420工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
780工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC 1.04 mW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
数据表
30工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
数据表
1,410工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
数据表
1,170工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P N-Channel 100 V 60 A 18 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 175 C 176 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 50A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 300
倍数： 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 150V
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 10A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET 110Amps 150V
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-263
数据表
无库存交货期 35 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 850V 14A N-CH HIPER
数据表
无库存交货期 35 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 16A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 16 A 360 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 16A
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-263
数据表
无库存交货期 35 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 20 A 300 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 600V 22A N-CH POLAR
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 50
Si HiPerFET Tube