HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 30A N-CH XCLASS
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 40A
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 46A N-CH TRENCH
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si AEC-Q101 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 35 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 150V 76A N-CH TRENCH
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 1KV 7A N-CH POLAR
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-247-4L
数据表
无库存交货期 30 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
数据表
交货期 21 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120A 300V
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 25
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube