HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 10.5 A 660 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 630 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 570 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET GigaMOS Power MOSFET
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 156 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 900 V 13 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 58 nC - 55 C + 150 C 230 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 197 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 30A
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V
数据表
无库存交货期 19 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 340 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 23 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 36A
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 20A
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 21 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 24A
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 34 A 154 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 310 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A
数据表
无库存交货期 44 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 25 A 154 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 38A
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id26 BVdass800
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 25 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 48A
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 154 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube