HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
225库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
数据表
261库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 87 nC - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
286库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 500 V 26 A 240 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
数据表
222库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
数据表
584库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
数据表
551库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 69 mOhms 30 V 5.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220
数据表
252库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 30A
数据表
3,654库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
数据表
5,100库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
数据表
2,172在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
数据表
620库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
数据表
2,803库存量
180预期 2027/1/27
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.5 mOhms - 55 C + 175 C 550 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
数据表
1,497库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
520库存量
1,900在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
数据表
4,152库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
数据表
707库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 38 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 4 Amps 1000V
数据表
788库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
472库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
529库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
274库存量
25预期 2026/9/29
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 132 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
420库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 268 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds
数据表
78库存量
300预期 2026/11/25
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 60 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
数据表
230库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
数据表
1,863库存量
5,010在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 12 Amps 1000V
数据表
640库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement HiPerFET Tube