HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds
数据表
1,049库存量
720预期 2026/11/3
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
数据表
768库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id14 BVdass800
数据表
389库存量
30预期 2027/3/22
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
290库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 253 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 1
数据表
158库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 16A
数据表
2,352库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
数据表
310库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 71 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
数据表
808库存量
180预期 2026/9/29
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
248库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 97 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
数据表
158库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 126 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 22A
数据表
459库存量
300预期 2026/10/6
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 22 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500
数据表
1,951库存量
4,620在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
900库存量
480预期 2027/2/8
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
数据表
1,078库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
数据表
653库存量
1,410预期 2026/10/28
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
200库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 44A
数据表
210库存量
300预期 2027/4/21
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
数据表
340库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 50 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
241库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds
数据表
1,747库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
数据表
628库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
数据表
719库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 107 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
284库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
数据表
185库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 90A N-CH X3CLASS
数据表
931库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube