HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
数据表
281库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
数据表
276库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 230A 200V
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET
数据表
234库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
数据表
214库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 670 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 44 Amps 800V
数据表
163库存量
120预期 2027/1/4
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 198 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 80A
数据表
188库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
数据表
1,593库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
数据表
984库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
数据表
1,498库存量
1,750在途量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 250V
数据表
587库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 157 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
数据表
584库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
数据表
302库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 76 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET Id180 BVdass100
数据表
490库存量
750预期 2026/11/11
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 151 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 360Amps 55V
数据表
303库存量
300预期 2026/9/29
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 10A
数据表
179库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 12A
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
245库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
数据表
124库存量
200预期 2026/12/15
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
数据表
125库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 1000V
数据表
153库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
数据表
33库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 17 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 430 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 310 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube