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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY
- BLF974PU
- Ampleon
-
1:
¥1,854.33
-
118库存量
-
Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
94-BLF974PU
Mouser 的新产品
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY
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118库存量
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最低: 1
倍数: 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF978P/SOT539/TRAY
- BLF978PU
- Ampleon
-
1:
¥2,264.4296
-
113库存量
-
Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
94-BLF978PU
Mouser 的新产品
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF978P/SOT539/TRAY
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113库存量
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最低: 1
倍数: 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
- BLL9G1214L-600U
- Ampleon
-
1:
¥2,480.237
-
115库存量
-
Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
94-BLL9G1214L-600U
Mouser 的新产品
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
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115库存量
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最低: 1
倍数: 1
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分立半导体模块 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module
- CAB425M12XM3
- Wolfspeed
-
1:
¥6,133.8208
-
64库存量
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Mouser 零件编号
941-CAB425M12XM3
|
Wolfspeed
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分立半导体模块 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module
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64库存量
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最低: 1
倍数: 1
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MOSFET模块 SiC, Module, 760A, 1200V, 62mm, HM3, Half-Bridge, Industrial
- CAB760M12HM3
- Wolfspeed
-
1:
¥23,873.3066
-
15库存量
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Mouser 零件编号
941-CAB760M12HM3
|
Wolfspeed
|
MOSFET模块 SiC, Module, 760A, 1200V, 62mm, HM3, Half-Bridge, Industrial
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15库存量
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
- CG2H40010F
- MACOM
-
1:
¥930.8827
-
688库存量
-
160在途量
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Mouser 零件编号
941-CG2H40010F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
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688库存量
160在途量
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
- CGH27060F
- MACOM
-
1:
¥2,903.196
-
80库存量
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Mouser 零件编号
941-CGH27060F
|
MACOM
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
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80库存量
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
- CGH40010F
- MACOM
-
1:
¥958.5903
-
2,012库存量
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Mouser 零件编号
941-CGH40010F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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2,012库存量
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
- CGH40025F
- MACOM
-
1:
¥2,013.5696
-
626库存量
-
440预期 2026/10/13
|
Mouser 零件编号
941-CGH40025F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
|
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626库存量
440预期 2026/10/13
|
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
- CGH40035F
- MACOM
-
1:
¥3,108.1667
-
171库存量
-
500预期 2026/12/7
|
Mouser 零件编号
941-CGH40035F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
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171库存量
500预期 2026/12/7
|
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
- CGH40045F
- MACOM
-
1:
¥3,881.8325
-
66库存量
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Mouser 零件编号
941-CGH40045F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
|
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66库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
- CGH40120F
- MACOM
-
1:
¥4,614.5245
-
150预期 2026/11/13
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Mouser 零件编号
941-CGH40120F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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150预期 2026/11/13
|
|
最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
- CGH40180PP
- MACOM
-
1:
¥8,928.9662
-
无库存交货期 26 周
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Mouser 零件编号
941-CGH40180PP
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
|
|
无库存交货期 26 周
|
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
- CGH55015F2
- MACOM
-
1:
¥1,309.896
-
140库存量
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Mouser 零件编号
941-CGH55015F2
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
|
|
140库存量
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|
最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
- CGHV38375F
- MACOM
-
1:
¥11,132.308
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV38375F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
|
|
20库存量
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|
最低: 1
倍数: 1
|
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGHV40030F
- MACOM
-
1:
¥2,246.5869
-
399库存量
-
800预期 2026/10/13
|
Mouser 零件编号
941-CGHV40030F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
399库存量
800预期 2026/10/13
|
|
最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT
- CGHV40180F
- MACOM
-
1:
¥4,461.5677
-
266库存量
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Mouser 零件编号
941-CGHV40180F
|
MACOM
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT
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266库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
- CGHV59070F
- MACOM
-
1:
¥6,072.846
-
45库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV59070F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
|
|
45库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
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分立半导体模块 SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
- CAB450M12XM3
- Wolfspeed
-
1:
¥8,359.401
-
162库存量
|
Mouser 零件编号
941-CAB450M12XM3
|
Wolfspeed
|
分立半导体模块 SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
|
|
162库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
否
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IGBT 模块 1200 V, 200 A chopper IGBT module
Infineon Technologies FD200R12KE3
- FD200R12KE3
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,170.0133
-
205库存量
-
30预期 2026/11/5
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Mouser 零件编号
641-FD200R12KE3
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1200 V, 200 A chopper IGBT module
|
|
205库存量
30预期 2026/11/5
|
|
最低: 1
倍数: 1
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IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
Infineon Technologies FD400R12KE3
- FD400R12KE3
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,648.8621
-
121库存量
-
65预期 2026/10/23
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Mouser 零件编号
641-FD400R12KE3
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
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121库存量
65预期 2026/10/23
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
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IGBT 模块 1200V 100A DUAL
Infineon Technologies FF100R12KS4
- FF100R12KS4
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,370.4414
-
72库存量
|
Mouser 零件编号
641-FF100R12KS4
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
|
|
72库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
|
|
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IGBT 模块 1200V 200A DUAL
Infineon Technologies FF200R12KS4
- FF200R12KS4
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,253.9723
-
130库存量
|
Mouser 零件编号
641-FF200R12KS4
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
|
|
130库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
Infineon Technologies FF200R12KT4
- FF200R12KT4
- Infineon Technologies
-
1:
¥960.0028
-
1,793库存量
|
Mouser 零件编号
641-FF200R12KT4
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
|
|
1,793库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 600V 400A DUAL
Infineon Technologies FF400R06KE3
- FF400R06KE3
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,558.8689
-
340库存量
|
Mouser 零件编号
641-FF400R06KE3
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 600V 400A DUAL
|
|
340库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
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