筛选条件

库存状态选项

已应用筛选条件

选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY 118库存量
¥1,854.33
¥1,533.2292
¥1,531.7376
最低: 1
倍数: 1
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF978P/SOT539/TRAY 113库存量
¥2,264.4296
¥1,883.8569
¥1,833.1538
最低: 1
倍数: 1
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY 115库存量
¥2,480.237
¥2,136.1407
¥2,109.0094
最低: 1
倍数: 1
Wolfspeed 分立半导体模块 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module 64库存量
¥6,133.8208
最低: 1
倍数: 1
Wolfspeed MOSFET模块 SiC, Module, 760A, 1200V, 62mm, HM3, Half-Bridge, Industrial 15库存量
¥23,873.3066
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 688库存量
160在途量
¥930.8827
¥781.6662
¥744.444
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt 80库存量
¥2,903.196
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2,012库存量
¥958.5903
¥797.3845
¥726.1719
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 626库存量
440预期 2026/10/13
¥2,013.5696
¥1,723.137
¥1,620.1262
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt 171库存量
500预期 2026/12/7
¥3,108.1667
¥2,651.8501
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 66库存量
¥3,881.8325
¥3,308.4479
¥3,148.4625
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
150预期 2026/11/13
¥4,614.5245
¥3,932.8181
¥3,742.7069
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 无库存交货期 26 周
¥8,928.9662
¥7,903.4347
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 140库存量
¥1,309.896
¥1,028.0627
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
20库存量
¥11,132.308
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 399库存量
800预期 2026/10/13
¥2,246.5869
¥1,938.7071
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 266库存量
¥4,461.5677
¥3,885.3129
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt 45库存量
¥6,072.846
¥5,329.2269
最低: 1
倍数: 1
Wolfspeed 分立半导体模块 SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A 162库存量
¥8,359.401
¥7,631.7601
最低: 1
倍数: 1
否
Infineon Technologies FD200R12KE3
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 200 A chopper IGBT module 205库存量
30预期 2026/11/5
¥1,170.0133
¥1,117.1632
最低: 1
倍数: 1
Infineon Technologies FD400R12KE3
Infineon Technologies IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A 121库存量
65预期 2026/10/23
¥1,648.8621
¥1,647.6982
最低: 1
倍数: 1
Infineon Technologies FF100R12KS4
Infineon Technologies IGBT 模块 1200V 100A DUAL 72库存量
¥1,370.4414
¥1,082.5852
最低: 1
倍数: 1
Infineon Technologies FF200R12KS4
Infineon Technologies IGBT 模块 1200V 200A DUAL 130库存量
¥1,253.9723
¥1,195.2462
最低: 1
倍数: 1
Infineon Technologies FF200R12KT4
Infineon Technologies IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A 1,793库存量
¥960.0028
¥883.321
最低: 1
倍数: 1
Infineon Technologies FF400R06KE3
Infineon Technologies IGBT 模块 600V 400A DUAL 340库存量
¥1,558.8689
最低: 1
倍数: 1