IRLMS2002 MOSFET

结果: 30
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl 959库存量
¥29.2783
¥19.1083
¥13.4018
¥11.2548
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 55 V 86 A 12 mOhms 16 V 1.8 V 60 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC 1,532库存量
¥18.8597
¥11.9893
¥5.7743
¥5.6952
¥5.2545
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 12 V 84 A 8.5 mOhms 12 V 1.9 V 27 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB 157库存量
¥36.8945
¥24.3176
¥18.6902
¥18.0348
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 9 mOhms 16 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl 23,800库存量
剪切带
¥5.2093
¥3.2092
¥1.9888
¥1.4577
卷轴
¥1.1413
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.7 A 65 mOhms 12 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N CHAN 60V
18库存量
¥22.826
¥14.7239
¥10.0118
¥8.6897
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 50 mOhms 10 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube