CSD87313DMS MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST 1,930库存量
剪切带
¥20.679
¥11.8311
¥9.0965
¥7.5258
¥7.2094
卷轴
¥5.9777
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS 279库存量
剪切带
¥27.1313
¥13.56
¥10.5881
卷轴
¥10.5881
¥9.266
¥9.0174
最低: 1
倍数: 1
: 250
Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel