FDMS1D2N03DSD

863-FDMS1D2N03DSD
FDMS1D2N03DSD

制造商：

说明：
MOSFET PT11N 30/12 & PT11

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
交货限制:
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RoHS:  
REACH - SVHC:
PowerClip56-8
- 55 C
+ 150 C
FDMS1D2N03DSD
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
通道模式: Enhancement
配置: Dual
Id-连续漏极电流: 19 A, 37 A
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 42 W
产品类型: MOSFETs
Qg-栅极电荷: 33 nC, 117 nC
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms, 4 mOhms
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: Si
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV, 1 V
单位重量: 121.065 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存：

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