HP8KB7TB1

ROHM Semiconductor
755-HP8KB7TB1
HP8KB7TB1

制造商：

说明：
MOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ROHM Semiconductor HP8KB7TB1详情

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOP-8
N-Channel
2 Channel
40 V
24 A
8 mOhms
20 V
2.5 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 18 ns
正向跨导 - 最小值: 14 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

HP8K/HT8K双沟道增强模式MOSFET

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K双沟道增强模式MOSFET提供双N沟道或N沟道/P沟道晶体管极性。HP8K和HT8K MOSFET采用小型表面贴装HSMT8和HSOP8背面散热双封装，具有低导通电阻和节能特性。应用包括单相/三相无刷电机驱动器或开关操作。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

库存量: 4,969

库存：
4,969 可立即发货
生产周期：
28 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于4969的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥30.6004 ¥30.60
¥15.4697 ¥154.70
¥13.9781 ¥1,397.81
¥11.413 ¥5,706.50
¥11.3339 ¥11,333.90
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥10.7576 ¥26,894.00
¥10.5881 ¥52,940.50

出现意外错误。


有问题需要帮助？请访问帮助中心。
如对特定订单有疑问，请登录您的账户。

如遇其他问题，请致电 800-346-6873 或发送邮件至 help@mouser.com 联系我们。