IPA60R280P7 MOSFET

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW N/A
Si Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 380库存量
500预期 2026/12/17
¥23.6622
¥12.0797
¥10.509
¥8.4411
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 6,000库存量
¥18.193
¥8.8479
¥7.8535
¥6.2489
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 354库存量
¥39.2901
¥20.1818
¥18.3625
¥15.9669
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 151库存量
¥28.2048
¥18.3625
¥12.656
¥10.0118
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 250 mOhms 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 624库存量
¥19.7637
¥9.5937
¥8.6897
¥6.8704
¥5.8534
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 425库存量
¥31.6852
¥21.922
¥16.1251
¥9.7632
¥9.5146
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 250 mOhms 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube