IRFN440 MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
6,917库存量
13,000预期 2026/11/16
¥21.8316
¥14.1476
¥11.0062
¥9.6728
¥9.0965
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
2,917库存量
¥25.1425
¥14.3962
¥11.9102
¥9.7632
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
1,454库存量
¥35.5724
¥18.1139
¥16.4641
¥13.4809
¥13.4018
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
17,857预期 2027/2/4
¥11.9102
¥5.5822
¥4.9494
¥3.8646
¥3.8533
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 49 A 23 mOhms 20 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC 2,451库存量
剪切带
¥23.0746
¥14.803
¥10.0909
¥8.5993
¥7.1416
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 119 A 5.5 mOhms 20 V 4 V 89 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel