IRLHM620 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
数据表
626库存量
8,000预期 2026/11/13
剪切带
¥16.6223
¥7.9326
¥7.0851
¥5.5709
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卷轴
¥4.4296
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 4,000
Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 20 V 40 A 2.5 mOhms 12 V 1.1 V 52 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET
数据表
N/A
Si