RGS80TS65DHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGS80TS65DHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS80TS65DHRC11
Price: 70.05 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RGS80TS65DHRC11

制造商编号：

RGS80TS65DHRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 40A TRNCH

数据表:

RGS80TS65DHRC11 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RGS80TS65DHRC11详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247N-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	2.1 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	73 A
Pd-功率耗散:	272 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
零件号别名:	RGS80TS65DHR

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RGS80TS65DHRC11 数据表 (PDF)

Models

ThermalLink

Other

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RGS场终止沟槽型车用IGBT

ROHM Semiconductor RGS场终止沟槽汽车用IGBT是符合AEC-Q101标准的汽车用IGBT，有1200V和650V型号可供选择。这些IGBT具有同类领先的低导通损耗，可减小尺寸并提高应用的效率。RGS IGBT采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极－发射极饱和电压 (V CE_(sat)) 并降低开关损耗。ROHM Semiconductor RGS IGBT可为各种高电压和大电流应用提供更高的节能效果。