RJ1P07CBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1P07CBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1P07CBHTL1
Price: 43.19 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RJ1P07CBHTL1

制造商编号：

RJ1P07CBHTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET TO263 100V 120A N-CH MOSFET

数据表:

RJ1P07CBHTL1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RJ1P07CBHTL1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	73 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	135 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	60 ns
正向跨导 - 最小值:	32 S
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	37 ns
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	99 ns
典型接通延迟时间:	40 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RJ1P07CBHTL1 数据表

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。