SCT4036KWATL

Name: ROHM Semiconductor SCT4036KWATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036KWATL
Price: 118 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-SCT4036KWATL

制造商编号：

SCT4036KWATL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7LA
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	47 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	91 nC
最大工作温度:	+ 175 C
通道模式:	Enhancement
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	9.6 ns
正向跨导 - 最小值:	11 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	15 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	8.1 ns

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET属于第四代MOSFET，具有低导通电阻和更强的短路耐受能力。此系列MOSFET具备1200V VDS、快速开关速度、4.7mm的最小爬电距离以及快速恢复时间。SCT40xKWA MOSFET符合RoHS标准，易于驱动。典型应用包括感应加热、直流-直流转换器、太阳能逆变器和开关模式电源（SMPS）。