.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STF18N65DM2 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

安装风格

封装 / 箱体

晶体管极性

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N-channel 650 V, 231 mOhm typ., 12 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack STMicroelectronics STF18N65DM2 STF18N65DM2 STMicroelectronics 受限供货情况寿命结束	制造商零件编号 STF18N65DM2 Mouser 零件编号 511-STF18N65DM2 寿命结束	STMicroelectronics	MOSFET N-channel 650 V, 231 mOhm typ., 12 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si																Tube
	MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack STF18N60DM2 STMicroelectronics 1: ¥27.2104 271库存量寿命结束	制造商零件编号 STF18N60DM2 Mouser 零件编号 511-STF18N60DM2 寿命结束	STMicroelectronics	MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack	数据表	271库存量	¥27.2104 ¥17.6958 ¥12.2379 ¥10.5881 ¥8.8479	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	260 mOhms	25 V	3 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube

STF18N65DM2 MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持