STGD6M65DF2 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
数据表
2,063库存量
2,500预期 2027/3/12
剪切带
¥16.4641
¥10.3395
¥6.8026
¥5.3901
卷轴
¥4.3844
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-channel MOSFET
数据表
2,037库存量
剪切带
¥21.922
¥14.1476
¥9.6728
¥7.7405
¥7.1303
¥6.8365
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 25 A 80 W - 55 C + 150 C STGD14NC60K Reel, Cut Tape, MouseReel