TK040N60Z1 MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=297W F=1MHZ 363库存量
¥96.7732
¥69.9809
¥58.3193
¥51.9461
¥48.5561
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 40 mOhms 30 V 4 V 85 nC + 150 C 297 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6 33库存量
30预期 2027/3/29
¥115.6329
¥90.739
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 24 mOhms 30 V 4 V 140 nC + 150 C 506 W Enhancement Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V 1,969库存量
¥103.1464
¥57.0763
¥56.9859
¥53.3473
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T) 无库存交货期 24 周
剪切带
¥135.2384
¥78.6593
卷轴
¥78.6593
¥73.0432
¥71.8793
最低: 1
倍数: 1
: 25
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms 30 V 4 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 600 V 0.040 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 40 mOhms 30 V 4 V 85 nC + 150 C 297 W Enhancement Tube