NIV1161MTWTAG

onsemi
863-NIV1161MTWTAG
NIV1161MTWTAG

制造商:

说明:
ESD保护二极管/TVS二极管 Low Capacitance ESD Protection with short-to-battery blocking for Automotive High Speed Data Lines AEC-Q101.revD Qualified - Wettable Flank Package

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: ESD保护二极管/TVS二极管
RoHS:  
Unidirectional
2 Channel
5 V
SMD/SMT
26 V
16.5 V
1 A
0.65 pF
8 kV
15 kV
- 55 C
+ 150 C
ESD Suppressors
NIV1161
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
工厂包装数量: 3000
子类别: ESD Protection Diodes / TVS Diodes
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8536300000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411029
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

电子保险丝 (eFuse)

安森美 (onsemi)  电子保险丝 (eFuse) 是一套全集成解决方案,提供过流、过压、过热、反极性和浪涌电流保护。安森美 (onsemi) 电子保险丝的电流范围为3V至12V,支持1A至12A连续电流。该器件集成了过流、过热、过压和浪涌电流保护,以及通过GPIO报告故障和禁用输出的能力,因此适合用于保护任何系统和支持紧凑的电路板布局。 

NIV1x ESD抑制器/TVS二极管

安森美 (onsemi) NIV1x ESD抑制器/TVS二极管设计用于保护高速数据线路免受ESD以及车辆电池短路的影响。这些二极管具有超低电容和低ESD钳位电压。NIV1x二极管是保护电压敏感型高速数据线路的理想解决方案,而低RDS(on) FET可限制信号线路上的失真。这些安森美 (onsemi) 二极管包括电池短路阻断和USB VBUS 短路阻断集成MOSFET。NIV1x ESD抑制器的工作温度范围为-55°C至150°C,漏极-源极电压为30V,栅极-源极电压为±10V。这些二极管非常适合用于汽车高速信号对、USB 2.0和低压差分信号 (LVDS)。

库存量: 1,745

库存:
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本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥8.9383 ¥8.94
¥6.8139 ¥68.14
¥5.6274 ¥562.74
¥4.6217 ¥2,310.85
¥3.9663 ¥3,966.30
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥3.5934 ¥10,780.20
¥3.3674 ¥20,204.40
¥3.3335 ¥30,001.50