16 bit 存储器 IC

结果: 1,818
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16, IT
627在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
625在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
1,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-50 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
1,730在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
2,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
696预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
1,404预期 2026/10/6
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile S动态随机存取存储器
348在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16, IT
209在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
1,672在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3
190预期 2027/8/10
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
972在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
480在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
128在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
972预期 2027/8/30
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1,362在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
2,589在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
2,996预期 2027/9/1
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
1,392在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
696在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
1,007在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit