4 Gbit 存储器 IC

结果: 288
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
4,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
11,330在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
7,500预期 2027/1/18
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
4,905在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
5,686在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
1,118预期 2027/7/30
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tape & Reel
4,992预期 2027/3/18
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Industrial Temp - Tape & Reel
2,000预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Industrial Temp - Tray
15,822在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR4, 4G, 256 X 16, 1.2V, 96-Ball FBGA, 1333MHZ, Industrial Temp - Tray
1,462预期 2027/7/21
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, Industrial Temp - Tray
2,926在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray
411预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tray
726预期 2027/5/19
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
645在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
131在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
451在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
124在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI NAND闪存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
170预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
292在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 4 Gbit
Alliance Memory NAND闪存 SLC Parallel NAND闪存, 4Gb, x8, 3.3V, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade4Gb, x8, 3.3V, SLC Parallel NAND闪存, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade
410在途量
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 无库存交货期 6 周
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 交货期 6 周
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit