S25FL512SAGBHMC10

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Mouser编号：

727-25FL512SAGBHMC10

制造商编号：

S25FL512SAGBHMC10

制造商：

Infineon Technologies

说明：

NOR闪存 STD SPI

数据表:

S25FL512SAGBHMC10 数据表 (PDF)

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交货限制:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	NOR闪存
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-24
系列:	S25FL512S
存储容量:	512 Mbit
电源电压-最小:	2.7 V
电源电压-最大:	3.6 V
有源读取电流（最大值）:	90 mA
接口类型:	SPI
最大时钟频率:	133 MHz
组织:	64 M x 8
数据总线宽度:	8 bit
定时类型:	Synchronous
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	NOR Flash
速度:	133 MHz
工厂包装数量:	676
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	MirrorBit

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8542320051
ECCN:: 3A991.b.1.a

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 泰国
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices are V_IOV_CC 2.7V to 3.6V flash non-volatile memory devices. These devices use 65nm MirrorBit technology. Designed using Eclipse™ architecture with a 512-byte page programming buffer. The 512-Mb S25FL512S FL-S NOR allows users to program up to 256 words (512 bytes) in one operation. This results in faster effective programming and erase than prior generation SPI programs or erase algorithms. The device connects to a host system via an SPI and supports traditional SPI single-bit serial input and output. Optional two-bit (Dual I/O or DIO) and four-bit (Quad I/O or QIO) serial commands. The S25FL512S FL-S NOR provides support for Double Data Rate read commands for SIO, DIO, and QIO that transfer addresses.

FL 串行 NOR 闪存

Cypress FL 串行 NOR 闪存减少了引脚数，从而降低系统成本降低，同时提供最佳读/写性能。这一特性使得 FL 串行 NOR 闪存特别适合用于汽车、网络、消费类电子产品以及工业应用。符合 AEC-Q100 认证，还可为汽车客户提供 PPAP 支持。 FL 系列有四个产品类别：FL-S、FL-L、FL1-K 和 FL-P。
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