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IS61NVP51236-200B3LI-TR

ISSI

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请参阅产品规格

Mouser编号：

870-6151236200B3LITR

制造商编号：

IS61NVP51236-200B3LI-TR

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) Sync 静态随机存取存储器 2.5v

数据表:

IS61NVP51236-200B3LI-TR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
存储容量:	18 Mbit
组织:	512 k x 36
访问时间:	3.1 ns
最大时钟频率:	200 MHz
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	2.625 V
电源电压-最小:	2.375 V
电源电流—最大值:	475 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	FBGA-165
封装:	Reel
商标:	ISSI
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	IS61NVP51236
工厂包装数量:	2000
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Synchronous

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IS61NVP51236-200B3LI-TR 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

串行RAM器件

包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。

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包含使用自刷新DRAM阵列的8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机访问存储器 (RAM)。

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采用JEDEC xSPI接口的高速、低引脚数存储产品组合。

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IS62WVS Serial SRAMs

Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

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Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

了解更多的信息

供货情况

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