AS4C16M16D1A-5TCN

Name: Alliance Memory AS4C16M16D1A-5TCN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C16M16D1A5TCN
Price: 115.29 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

913-4C16M16D1A5TCN

制造商编号：

AS4C16M16D1A-5TCN

制造商：

Alliance Memory

说明：

动态随机存取存储器 DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A)

数据表:

AS4C16M16D1A-5TCN 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Alliance Memory
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR
存储容量:	256 Mbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	200 MHz
封装 / 箱体:	TSOP-II-66
组织:	16 M x 16
访问时间:	700 ps
电源电压-最小:	2.3 V
电源电压-最大:	2.7 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
系列:	AS4C16M16D1A
封装:	Tray
商标:	Alliance Memory
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
引脚数:	66
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	108
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	70 mA
单位重量:	1.400 g

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数据表

AS4C16M16D1A-5TCN 数据表 (PDF)

REACH Declaration (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320024
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 中国台湾
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.