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RoHS

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IS43LD16256C-18BLI-TR

ISSI

Mouser编号：

870-3LD16256C18BLITR

制造商编号：

IS43LD16256C-18BLI-TR

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R

数据表:

IS43LD16256C-18BLI-TR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
类型:	SDRAM
存储容量:	4 Gbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	533 MHz
封装 / 箱体:	TFBGA-134
组织:	256 M x 16
访问时间:	5.5 ns
电源电压-最小:	1.14 V, 1.7 V
电源电压-最大:	1.3 V, 1.95 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
封装:	Reel
商标:	ISSI
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	2000
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	15 mA, 70 mA

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IS43LD16256C-18BLI-TR 数据表 (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM

低压存储器器件，有2Gb、4Gb和8Gb密度可供选择，非常适合用于移动应用。

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512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM

内部设置8个内存组的高速DRAM器件。

了解更多的信息

提供高达2133Mbps的数据传输速率。

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Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

了解更多的信息

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

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供货情况

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