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RoHS

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IS64WV51216EEBLL-10BLA3

ISSI

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

870-51216ELL-10BLA3

制造商编号：

IS64WV51216EEBLL-10BLA3

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp

数据表:

IS64WV51216EEBLL-10BLA3 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	8 Mbit
组织:	512 k x 16
访问时间:	10 ns
接口类型:	Serial
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.4 V
电源电流—最大值:	110 mA, 135 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-48
商标:	ISSI
存储类型:	SRAM
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
工厂包装数量:	480
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Asynchronous

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IS64WV51216EEBLL-10BLA3 数据表 (PDF)

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合规代码

USHTS:: 8542320041
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

串行RAM器件

包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。

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包含使用自刷新DRAM阵列的8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机访问存储器 (RAM)。

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采用JEDEC xSPI接口的高速、低引脚数存储产品组合。

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IS62WVS Serial SRAMs

Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

了解更多的信息

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

了解更多的信息

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 12 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 480 倍数： 480

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥168.3248	¥80,795.90