IS43DR16640B-3DBLI

Name: ISSI IS43DR16640B-3DBLI
Brand: ISSI
SKU: 870-I43DR16640B3DBLI
Price: 154.31 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-I43DR16640B3DBLI

制造商编号：

IS43DR16640B-3DBLI

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器

数据表:

IS43DR16640B-3DBLI 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR2
存储容量:	1 Gbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	333 MHz
封装 / 箱体:	BGA-84
组织:	64 M x 16
访问时间:	450 ps
电源电压-最小:	1.7 V
电源电压-最大:	1.9 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	IS43DR16640B
封装:	Tray
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	209
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	100 mA
单位重量:	198 mg

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320032
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DDR2 SDRAM

ISSI DDR2 SDRAM uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double-data-rate architecture is essentially a 4n-prefetch architecture, with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls. ISSI DDR2 SDRAM has on-die termination (ODT) and programmable burst lengths of 4 or 8. The on-chip DLL aligns DQ and DQs transitions with CK transitions.

IS43DR16160A 16Mx16 DDR2 SDRAM

ISSI IS43DR16160A 16Mx16 DDR2 SDRAM is a Double Data Rate (DDR) Synchronous DRAM (SDRAM) organized as 4M x 16 bits x 4 banks. This product uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is essentially a 4N prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls.