N01S830BAT22IT

onsemi
863-N01S830BAT22IT
N01S830BAT22IT

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 1MB 3V BATT BU FUNCT

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
1 Mbit
128 k x 8
25 ns
20 MHz
SPI
5.5 V
2.5 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: N01S830
工厂包装数量: 3000
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 33 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

N01S8 1Mb 超低功耗串行 SRAM

onsemi N01S8x 1Mb 超低功耗串行 SRAM 具有高速性能和低功耗特性。 N01S8x SRAM 通过单芯片选择 (CS) 输入工作，采用简单的串行外设接口 (SPI) 协议。 在 SPI 模式下，单数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路与时钟 (SCK) 一起使用，以访问这些器件内的数据。 在 DUAL 模式下，使用两个复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 线路。 在四路模式式下，四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 线路与时钟一起使用，以访问存储器。 N01S8x SRAM 可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内工作，采用 8 引脚 TSSOP 封装。
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库存量: 6

库存：
6
可立即发货
在途量:
6,000
预期 2027/1/11
15,000
6,000
预期 2027/1/19
9,000
预期 2027/2/5
生产周期：
33
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 3000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥48.9629 ¥48.96
¥45.6633 ¥456.63
¥43.0982 ¥1,077.46
¥42.1038 ¥2,105.19
¥41.0303 ¥4,103.03
¥39.7873 ¥9,946.83
¥38.7929 ¥19,396.45
¥37.7985 ¥37,798.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥36.4764 ¥109,429.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
N01S830BAT22I
包装:
Tube
供货情况:
库存量
单价:
¥48.9629
最小:
1

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