ISSI 存储器 IC

结果: 3,201
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ISSI NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166MHz Serial Flash
9,000预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 128 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 256M 3V 166MHZ Serial Flash
6,950预期 2026/11/6
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 256 Mbit QPI, SPI

ISSI NOR闪存 256Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, dedicated reset pin, T&R
3,997在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 256 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR闪存 256Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS, T&R
7,990在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 256 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, T&R
8,731预期 2026/10/14
最低: 1
倍数: 1
: 4,500

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 128 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR闪存 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp
2,495预期 2027/1/18
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 256 Mbit Parallel
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
5,832在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
3,672在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16 143MHz
4,968在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16 143MHz
4,752在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
3,456在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
8,716在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT
4,662在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
12,096在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
4,635在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
3,840在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
3,779在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
952在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
3,371在途量
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
1,118预期 2027/7/30
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
8,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gb

ISSI 通用闪存存储器 - UFS 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin & WP#, TR
7,500预期 2027/2/16
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Flash Memory Universal Flash Storage (UFS) SMD/SMT TFBGA-24 512 Mb QPI
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
7,498在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit