ISSI 存储器 IC

结果: 3,202
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
7,498在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
13,122预期 2027/3/15
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
13,499在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
11,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
1,499在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
136在途量
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 16 Gbit
ISSI IS62C5128EL-45TLI
ISSI 静态随机存取存储器 4Mb,Low Power,Async,512K x 8,45ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS 交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-32 4 Mbit Parallel
ISSI IS61WV204816BLL-10BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns
14,163在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
25,500预期 2026/11/19
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
1,920预期 2026/9/23
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT BGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
479预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 16,12ns,2.4v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS, Automotive temp
81预期 2026/9/23
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-48 32 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp
480在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
6,482预期 2027/4/16
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS, T&R
10,000预期 2027/4/14
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133Mhz Serial NOR闪存
4,448预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
496在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
3,575在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
680在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 16 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 16 Gbit
ISSI IS43LR16128B-5BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
1,995预期 2027/6/28
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
408在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
4,320在途量
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT 256 Mbit
ISSI IS25WP512MG-RHLA2
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade
1,289预期 2027/4/23
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 512 Mbit Dual/Quad SPI/QPI
ISSI IS46TR16256ECL-125LB2LA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L w/ ECC,256Mx16, 1600MT/s @ 12-11-11, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
460在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96