ISSI 存储器 IC

结果: 3,201
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
190预期 2027/8/31
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
272预期 2027/1/14
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
446预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
451在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3
190预期 2026/9/28
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 256Mx8 1600MT/s DDR3 1.5V
173预期 2027/8/26
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
972在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
480在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
720在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
128在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI 静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 45MHz Serial 静态随机存取存储器 IT
1,000预期 2026/12/2
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SDI, SPI, SQI
ISSI 静态随机存取存储器 2Mb, Serial 静态随机存取存储器, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
2,954预期 2026/12/16
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SRAM SMD/SMT SOIC-8 2 Mbit SDI, SPI, SQI

ISSI 静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
963预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器 64Mb
960预期 2027/2/4
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
410预期 2027/2/4
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,498在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 133Mhz 32Mx16 Mobile SDR
676预期 2027/9/8
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
960预期 2027/8/9
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI NOR闪存 16M QSPI, WSON ET
4,560预期 2027/3/22
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 16Mb 3V 66/133Mhz Serial NOR闪存
2,076预期 2027/4/16
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit SPI