NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

结果: 1,613
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 315 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

18 Mbit 512 k x 32 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 350 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 175 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 310 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

18 Mbit 512 k x 32 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

18 Mbit 512 k x 32 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 385 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36
18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36
18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray