NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

结果: 1,613
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 组织 访问时间 最大时钟频率 接口类型 电源电压-最大 电源电压-最小 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 4库存量
最低: 1
倍数: 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M 6库存量
最低: 1
倍数: 1

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 72库存量
最低: 1
倍数: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M 12库存量
最低: 1
倍数: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 36 36M 1库存量
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 235 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 15库存量
最低: 1
倍数: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M 1库存量
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 7库存量
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 36库存量
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 2库存量
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 45库存量
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 50库存量
最低: 1
倍数: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 15库存量
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 4库存量
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 3库存量
最低: 1
倍数: 1
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 23库存量
最低: 1
倍数: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 19库存量
最低: 1
倍数: 1
36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 255 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 14库存量
最低: 1
倍数: 1
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 18 9M 38库存量
最低: 1
倍数: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 71库存量
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 256 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M 5库存量
最低: 1
倍数: 1
72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 395 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
47预期 2026/9/29
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 36 32M
10预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
7预期 2026/10/1
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS8162Z18DD-200I
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
11预期 2026/10/1
最低: 1
倍数: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray